ET670 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ET670
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO9
Búsqueda de reemplazo de ET670
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
ET670 datasheet
NO DATA!
Otros transistores... ET6252 , ET6253 , ET6542 , ET6543 , ET6544 , ET6545 , ET6546 , ET6547 , S9014 , ET701 , ET708 , ET709 , ET710 , ET721 , ET722 , ETG36040C , ETG36040D .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667