F118 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F118
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO3
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F118 datasheet
cep1186 ceb1186 cef1186.pdf
CEP1186/CEB1186 CEF1186 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP1186 800V 2.3 6A 10V CEB1186 800V 2.3 6A 10V CEF1186 800V 2.3 6A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK)
sf016 sf018 sf116 sf117 sf118 sf119 sf121 sf123 sf126 sf127 sf128 sf129 sf131 sf132 sf136 sf137 sf150 sf215 sf216 sf225 sf235 sf240 sf245.pdf
Otros transistores... F111 , F112 , F113 , F114 , F115 , F116 , F117 , F117A , BC556 , F118A , F119 , F119A , F120 , F120A , F121 , F121A , F122 .
History: FE2920A | 2SA1360O | 2SA1364 | 2SA1548 | ETP5095 | 2SA1359O
History: FE2920A | 2SA1360O | 2SA1364 | 2SA1548 | ETP5095 | 2SA1359O
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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