F120A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: F120A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar F120A

F120A Datasheet (PDF)

0.1. Size:35K microsemi
msagz52f120a.pdf

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220MSAGZ52F120AFAX: (714) 966-5256MSAHZ52F120AFeatures1200 Volts Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof52 Amps Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance3.2 Volts vce(sat) Very low thermal resistance Reverse polarity ava

0.2. Size:35K microsemi
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0.3. Size:88K microsemi
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7516 Central Industrial DrivePPC INC.Riviera Beach, FL 33404PH: 561-842-0305PPNGZ52F120AFax: 561-845-7813PPNHZ52F120AFeatures Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed package Low package inductance Very low thermal resistanceTO-258 Reverse polarity available upon request: PPNH(G)Z52F120

0.4. Size:88K microsemi
ppngz52f120a.pdf