FA1F4N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FA1F4N
   Código: L35
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros