FC113 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FC113

Código: 113

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: SOT223

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FC113 datasheet

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FC113

Ordering number EN3081 FC113 PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications Features Package Dimensions On-chip bias resistors (R1=10k , R2=10k ) unit mm Composite type with 2 transistors contained in the 2067 CP package currently in use, improving the mount- [FC113] ing efficiency greatly. The FC113 is formed with two chips, being equiva-

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