FMW1 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMW1
Código: W1
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 140 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: SC74A
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FMW1 datasheet
umw1n fmw1 w1 sot23-5 sot353.pdf
Transistors Emitter common (dual transistors) UMW1N / FMW1 FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two 2SC2412K chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor The following characteristics apply to both Tr1 and Tr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) (96-424-C22) 559 Transistors UMW1N
umw10n fmw10 w10 sot363 sot23-6.pdf
UMW6N / UMW10N / UMX4N / FMW6 / FMW10 / IMX Transistors Transistors UMW7N / UMW8N / UMX5N / FMW7 / FMW8 / IMX (94S-404-C101)
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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