FMW1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FMW1
   Código: W1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SC74A

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FMW1

FMW1 Datasheet (PDF)

..1. Size:111K rohm
umw1n fmw1 w1 sot23-5 sot353.pdf

TransistorsEmitter common (dual transistors)UMW1N / FMW1FFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two 2SC2412K chips in a UMT orSMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistorThe following characteristics apply toboth Tr1 and Tr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)(96-424-C22)559Transistors UMW1N

0.1. Size:50K rohm
umw10n fmw10 w10 sot363 sot23-6.pdf