FMW3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMW3

Código: S3_W3

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 180

Encapsulados: SC74A

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FMW3 datasheet

 ..1. Size:39K  rohm
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FMW3

FMS3 / FMS4 / IMT4 Transistors Transistors FMW3 / FMW4 / IMX8 (94S-389-A41) (94S-398-C41) 578

 0.1. Size:527K  fuji
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FMW3

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FMW30N60S1HF FUJI POWER MOSFET Super J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Low on-state resistance TO-247-P2 Low switching loss easy to use (more controllabe switching dV/dt by R ) g Drain(D) Applications UPS Server Gate(G) Telecom Source(S)

 0.2. Size:185K  lge
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FMW3

FMW3/FMW4 Dual Transistor SOT-23-5L Features High breakdown voltage 2 .8 20 Dimensions in millimeters 3. 020 0 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0 .3 00 8 0. 500 Symbol Parameter Value Units 0 .3 00 VCBO Collector- Base Voltage 120 V 0. 600 2. 650 2 .950 1 .5 00 VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V 1. 700 VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Colle

 0.3. Size:213K  inchange semiconductor
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FMW3

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