FXT55SM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FXT55SM

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 130 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: SOT89

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FXT55SM datasheet

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FXT55SM

PNP SILICON PLANAR FXT555 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i T T E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I

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FXT55SM

PNP SILICON PLANAR FXT551 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 SEPT 93 T V I V i T T E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V 8 V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I

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FXT55SM

PNP SILICON PLANAR FXT553 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i T T E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V

 9.4. Size:25K  diodes
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FXT55SM

PNP SILICON PLANAR FXT557 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i T T E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C) T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I V I II I V V I

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