FXT653 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FXT653

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

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FXT653 datasheet

 ..1. Size:28K  diodes
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FXT653

NPN SILICON PLANAR FXT653 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V

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FXT653

NPN SILICON PLANAR FXT651 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V 8 V I I V I II i V V I I V I i

 9.2. Size:25K  diodes
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FXT653

NPN SILICON PLANAR FXT655 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I V I II I V V

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FXT653

NPN SILICON PLANAR FXT657 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i I TI T I i II i i Vi i E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I

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