FXT653 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FXT653
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FXT653
FXT653 Datasheet (PDF)
fxt653.pdf
NPN SILICON PLANARFXT653MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 MARCH 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V
fxt651.pdf
NPN SILICON PLANARFXT651MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 MARCH 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V 8 V I I V I II i V V I I V I i
fxt655.pdf
NPN SILICON PLANARFXT655MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 FEB 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I V I II I V V
fxt657.pdf
NPN SILICON PLANARFXT657MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 FEB 94 T V I V i I TI T I i II i i Vi i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I
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