FXT755 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FXT755

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 150 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

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FXT755 datasheet

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FXT755

PNP SILICON PLANAR FXT755 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I V I II I V V

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FXT755

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER FXT757 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I V I II

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FXT755

PNP SILICON PLANAR FXT751 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i I TI I I i i i i i I T T E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V 8 V I I V I

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FXT755

PNP SILICON PLANAR FXT753 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i I TI I I i i i i i I T T i E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I

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