FZT749 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FZT749

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 100 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO236

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FZT749 datasheet

 ..1. Size:33K  fairchild semi
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FZT749

Discrete Power & Signal Technologies July 1998 FZT749 C E C B SOT-223 PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous. Absolute Maximum Ratings* T A = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter FZT749 Units 25 V VCEO Collector-Emitter Voltage 35 V VCBO Collector-Ba

 ..2. Size:639K  diodes
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FZT749

A Product Line of Diodes Incorporated Green FZT749 25V PNP HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > -25V Case SOT223 IC = -3A High Continuous Current Case Material Molded Plastic. Green Molding Compound; ICM = -8A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 Low Saturation Voltage VCE(sat)

 ..3. Size:996K  kexin
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FZT749

SMD Type Transistors PNP Transistors FZT749 (KZT749) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 Features 4 25 Volt VCEO. 3 Amp continuous current. Low saturation voltage. 1 2 3 Excellent hFE specified up to 6A . 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1.Base 2.Collector 0.70 0.1 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Coll

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