FZT749 Todos los transistores

 

FZT749 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FZT749
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO236
 

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FZT749 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  fairchild semi
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FZT749

Discrete Power & Signal Technologies July 1998 FZT749CECBSOT-223 PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous. Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter FZT749 Units25 VVCEO Collector-Emitter Voltage35 VVCBO Collector-Ba

 ..2. Size:639K  diodes
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FZT749

A Product Line of Diodes Incorporated GreenFZT749 25V PNP HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > -25V Case: SOT223 IC = -3A High Continuous Current Case Material: Molded Plastic. Green Molding Compound; ICM = -8A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 Low Saturation Voltage VCE(sat)

 ..3. Size:996K  kexin
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FZT749

SMD Type TransistorsPNP TransistorsFZT749 (KZT749)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1Features425 Volt VCEO.3 Amp continuous current.Low saturation voltage.1 2 3Excellent hFE specified up to 6A .0.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Coll

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History: UNR1216 | D42C9

 

 
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