GES5127 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GES5127

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO236

 Búsqueda de reemplazo de GES5127

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

GES5127 datasheet

NO DATA!

Otros transistores... GES4929, GES4930, GES4931, GES4964, GES4965, GES5087, GES5088, GES5089, 2SD313, GES5128, GES5129, GES5130, GES5131, GES5132, GES5133, GES5135, GES5136