GSRU10030 Todos los transistores

 

GSRU10030 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSRU10030
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 175 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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GSRU10030 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:209K  inchange semiconductor
 gsru15040.pdf pdf_icon

GSRU10030

isc Silicon NPN Power Transistor GSRU15040DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 10(MIN)@I = 15AFE CLow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower SuppliesSwitching AmplifiersInverters/ConvertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Bas

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History: 2SB1025 | BCW73-40 | 2SC3338 | C25-12 | MP113A | KT837M1-IM | GT402E

 

 
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