GT109D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT109D
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.03 W
Tensión colector-base (Vcb): 10 V
Tensión colector-emisor (Vce): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 80 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 3 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Búsqueda de reemplazo de GT109D
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
GT109D datasheet
Otros transistores... GT100-9, GT1079, GT108A, GT108B, GT108G, GT108V, GT109A, GT109B, A940, GT109E, GT109G, GT109I, GT109J, GT109V, GT115A, GT115B, GT115D
History: 2N3149 | 2N2440
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet

