GT125A Todos los transistores

 

GT125A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT125A
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 28
     - Selección de transistores por parámetros

 

GT125A Datasheet (PDF)

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GT125A

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GT125A

GT125N10GOFORD General Description GT125N10 use advanced SFGMOSTM RDS(ON)technology to provide low R , low gate DS(ON) VDSS ID @10V (Typ.)charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed 100V 130A4.1mto get better ruggedness and suitable to use in motor control applications. Applications Features Consu

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History: D32W10 | FT400B | 2SCR553PFRA | D33J24 | 2SD1804Q | 2SC3023 | KT8121A-2

 

 
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