GT311I . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT311I
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 10 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 1 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 70 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 450 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
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GT311I Datasheet (PDF)
Otros transistores... GT310G , GT310V , GT3110A-2 , GT311A , GT311B , GT311D , GT311E , GT311G , 2SD313 , GT311J , GT311V , GT313A , GT313B , GT313V , GT320A , GT320B , GT320V .
History: 2N2801-46 | 2SD1004 | GT310A | 2SB1314 | 2SC996 | 2SD1047-247 | 2N2801
History: 2N2801-46 | 2SD1004 | GT310A | 2SB1314 | 2SC996 | 2SD1047-247 | 2N2801



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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