HVT900 Todos los transistores

 

HVT900 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HVT900
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 900 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 6 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO46
 

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HVT900 Datasheet (PDF)

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History: GT906AM | 1165905 | BDW58 | 2SC5502 | 2T3158A-2 | RT3THHM | BU207

 

 
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