IMD2A Todos los transistores

 

IMD2A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IMD2A

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 56

Encapsulados: SO6

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IMD2A datasheet

 ..1. Size:98K  rohm
emd2 umd2n imd2a.pdf pdf_icon

IMD2A

EMD2 / UMD2N / IMD2A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD2 / UMD2N / IMD2A Features Dimensions (Unit mm) 1) Both the DTA124E chip and DTC124E chip in a EMT EMD2 or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT6 or UMT6 or SMT6 (6) (5) (4) automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating (1) (2) (3) interferen

 ..2. Size:98K  rohm
umd2n imd2a d2 sot23-6sot363.pdf pdf_icon

IMD2A

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMD2N / IMD2A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Both the DTA124E chip and DTC124E chip in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxi

 0.1. Size:1439K  rohm
emd2fha umd2nfha imd2afra.pdf pdf_icon

IMD2A

EMD2FHA / UMD2NFHA / IMD2AFRA EMD2 / UMD2N / IMD2A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 22kW EMD2 UMD2N EMD2FHA UMD2NFHA (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 22kW SMT6 (4)

Otros transistores... IMBT4400, IMBT4401, IMBT4402, IMBT4403, IMD10A, IMD14, IMD16A, IMD1A, TIP32C, IMD3A, IMD6A, IMD8A, IMD9A, IMH10A, IMH11A, IMH14A, IMH1A

 

 

 


History: HSE125

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