IMD9A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IMD9A
Código: D9
Material: Si
Polaridad de transistor: p*n
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 140 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 68
Encapsulados: SO6
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IMD9A datasheet
umd9n imd9a d9 sot23-6 sot363.pdf
UMD9N / IMD9A Transistors Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive) UMD9N / IMD9A Features External dimensions (Units mm) 1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a SMT package. UMD9N 1.25 2.1 Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit 0.1Min. Supply voltage VCC 50 V ROHM UMT6 EIAJ SC-88 Input voltage VIN -6 +40 V Each
emd9fha umd9nfha imd9afra.pdf
EMD9FHA / UMD9NFHA / IMD9AFRA EMD9 / UMD9N / IMD9A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 10kW EMD9 UMD9N EMD9FHA UMD9NFHA (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 47kW SMT6 (4)
Otros transistores... IMD10A, IMD14, IMD16A, IMD1A, IMD2A, IMD3A, IMD6A, IMD8A, TIP120, IMH10A, IMH11A, IMH14A, IMH1A, IMH2A, IMH3A, IMH4A, IMH5A
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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