IMH14A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IMH14A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 140 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: SO6
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IMH14A datasheet
umh14nfha imh14afra.pdf
UMH14N / IMH14A UMH14NFHA / IMH14AFRA Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline UMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (4) (6) (5) (5) (6) (4) VCEO 50V (3) (1) IC 100mA (2) (2) (1) (3) R1 47kW UMH14NFHA IMH14AFRA UMH14N IMH14A SOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74) lFeatures lInner circuit Collect
chimh14gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHIMH14GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457) SC-74/SOT-457 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) * High saturatio
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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