IMH3A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IMH3A  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SO6

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IMH3A datasheet

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 emh3 umh3n imh3a umh3n.pdf pdf_icon

IMH3A

EMH3 / UMH3N / IMH3A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH3 / UMH3N / IMH3A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTAK13Ts chips in a EMT or UMT or SMT EMH3 package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3) (5) (2) automatic mounting machines. (6) (1) 1.2 1.6 3) Transistor elements are independent, eliminating interferen

 ..2. Size:50K  rohm
 umh3n imh3a h3 sot23-6sot363.pdf pdf_icon

IMH3A

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH3N / IMH3A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTAK13Ts chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. FStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor The following characteristics

 0.1. Size:1263K  rohm
 emh3fha umh3nfha imh3afra.pdf pdf_icon

IMH3A

EMH3FHA / UMH3NFHA / IMH3AFRA EMH3 / UMH3N / IMH3A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCEO (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R1 4.7kW EMH3 UMH3N EMH3FHA UMH3NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4) (5

Otros transistores... IMD6A, IMD8A, IMD9A, IMH10A, IMH11A, IMH14A, IMH1A, IMH2A, BD222, IMH4A, IMH5A, IMH6A, IMH7A, IMH8A, IMH9A, IMT17, IMT1A