JC559 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JC559
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 125
Paquete / Cubierta: TO92
- Selección de transistores por parámetros
JC559 Datasheet (PDF)
jc559 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186JC559PNP general purpose transistor1999 Apr 27Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 09Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor JC559FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V).1 base2 collectorAPPLICATIONS3 emitter
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: OC870 | 2SD1723T | MM558-02 | KTC3226 | 2SC2767 | JA100R | BFN23R
History: OC870 | 2SD1723T | MM558-02 | KTC3226 | 2SC2767 | JA100R | BFN23R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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