K2108 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: K2108  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO50

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K2108 datasheet

 0.1. Size:92K  sanyo
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K2108

Ordering number ENN4602A N-Channel Silicon MOSFET 2SK2108 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2063A Low-voltage drive. [2SK2108] Micaless package facilitating mounting. 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2.55 2.55 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO

 0.2. Size:214K  inchange semiconductor
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K2108

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2108 DESCRIPTION Drain Current I = 6A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 250V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage (V =0) 250 V D

Otros transistores... K2105A, K2105B, K2106, K2106A, K2106B, K2107, K2107A, K2107B, D882, K2108A, K2108B, K2109, K2109A, K2109B, K2110, K2110A, K2110B