K2109 Todos los transistores

 

K2109 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: K2109
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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K2109 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:38K  nec
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K2109

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK2109N-CHANNEL MOS FETFOR HIGH-SPEED SWITCHINGThe 2SK2109 is a N-channel MOS FET of a vertical type andPACKAGE DIMENSIONS (in mm)is a switching element that can be directly driven by the output of4.5 0.1an IC operating at 5 V.1.5 0.11.6 0.2This product has a low ON resistance and superb switchingcharacteristics and is ide

 0.2. Size:672K  kexin
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K2109

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK21091.70 0.1 Features VDS (V) = 60V ID = 0.5A RDS(ON) 1 (VGS = 4V)0.42 0.10.46 0.1Drain (D) RDS(ON) 0.8 (VGS = 10V)Gate (G)Internal diode1.GateGate protection2.Draindiode3.SourceSource (S) Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60V

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History: 2SB1274Q

 

 
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