K2111B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: K2111B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1700 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO72

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K2111B datasheet

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K2111B

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET 2SK2111 1.70 0.1 Features VDS (V) = 60V ID = 1 A Drain (D) RDS(ON) 0.45 (VGS = 10V) 0.42 0.1 0.46 0.1 RDS(ON) 0.6 (VGS = 4V) Gate (G) Internal diode 1.Gate Gate protection 2.Drain diode 3.Source Source (S) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V

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