K2111B Todos los transistores

 

K2111B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: K2111B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1700 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO72

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K2111B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:662K  kexin
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K2111B

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET 2SK2111 1.70 0.1 Features VDS (V) = 60V ID = 1 A Drain (D) RDS(ON) 0.45 (VGS = 10V) 0.42 0.1 0.46 0.1 RDS(ON) 0.6 (VGS = 4V) Gate (G) Internal diode 1.Gate Gate protection 2.Drain diode 3.Source Source (S) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V

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History: 2SC296 | RN2421 | 2N5075 | RN2325A | 2N6188 | 2SC2991 | 2SC2996O

 

 
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