K2118B Todos los transistores

 

K2118B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: K2118B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1700 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO72

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K2118B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:28K  hitachi
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K2118B

2SK2118 Silicon N-Channel MOS FET ADE-208-1348 (Z) 1st. Edition Mar. 2001 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for Switching regulator, DC-DC converter,Motor Control Outline TO-220CFM 1 D 2 3 1. Gate G 2. Drain 3. Source S 2SK2118 Absolute Maximum Rat

 9.2. Size:213K  inchange semiconductor
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K2118B

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2118 DESCRIPTION Drain Current I = 5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 600V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators ,DC-DC converter,Motor Control ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain

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