K2123 Todos los transistores

 

K2123 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: K2123
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO72

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K2123 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:34K  panasonic
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K2123

Power F-MOS FETs 2SK2123 2SK2123 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features Avalanche energy capability guaranteed EAS > 100mJ 4.6 0.2 9.9 0.3 2.9 0.2 VGSS= 30V guaranteed 3.2 0.1 High-speed switching tf= 35ns No secondary breakdown 2.6 0.1 Applications 1.2 0.15 1.45 0.15 0.7 0.1 Non-contact relay 0.75 0.1 Solenoid drive 2.54 0.2 Motor driv

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History: 2SC1460 | DBC846BPDW1T1G | DDTA114TKA | EQF0009 | 2SD1015 | 2SC2877

 

 
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