K2123 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: K2123  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO72

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K2123 datasheet

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K2123

Power F-MOS FETs 2SK2123 2SK2123 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features Avalanche energy capability guaranteed EAS > 100mJ 4.6 0.2 9.9 0.3 2.9 0.2 VGSS= 30V guaranteed 3.2 0.1 High-speed switching tf= 35ns No secondary breakdown 2.6 0.1 Applications 1.2 0.15 1.45 0.15 0.7 0.1 Non-contact relay 0.75 0.1 Solenoid drive 2.54 0.2 Motor driv

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