K2123 Todos los transistores

 

K2123 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: K2123
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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K2123 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:34K  panasonic
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K2123

Power F-MOS FETs 2SK21232SK2123Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm FeaturesAvalanche energy capability guaranteed : EAS > 100mJ4.6 0.29.9 0.3 2.9 0.2VGSS=30V guaranteed3.2 0.1High-speed switching : tf= 35nsNo secondary breakdown2.6 0.1 Applications1.2 0.151.45 0.15 0.7 0.1Non-contact relay0.75 0.1Solenoid drive2.54 0.2Motor driv

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History: LBC847CWT1G | 2SC2540 | DDTD113ZC | MPS6728 | FMBSA56 | LBC848BLT1G | GME9001

 

 
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