2N387 Todos los transistores

 

2N387 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N387
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO27
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N387 Datasheet (PDF)

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2N387

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2N387

2N3879SMD05Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 7.54 (0.296)0.76 (0.030) Ceramic Surface Mount min.3.175 (0.125) 2.41 (0.095) Package for High 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005)Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 75V IC = 7A 0.127 (0.005)16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020)0.50 (0.020)All Semelab herm

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2N387

2N3879SMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 75V IC = 7A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26 (0

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 2n3711 2n3721 2n3827 2n3858 2n3858a 2n3859 2n3859a 2n3860 2n3877 2n3877a 2n3900 2n3900a 2n3901 2n3903 2n3904 2n3905.pdf pdf_icon

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History: BC817-40LT1 | 2N1199A | 2SC5824 | 2N2340 | KT6102A | BD355C | BD2530

 

 
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