2N3879SM Todos los transistores

 

2N3879SM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3879SM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 75 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 175 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 12
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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2N3879SM PDF detailed specifications

 0.1. Size:10K  semelab
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2N3879SM

2N3879SMD05 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 7.54 (0.296) 0.76 (0.030) Ceramic Surface Mount min. 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) Package for High 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005) Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 75V IC = 7A 0.127 (0.005) 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) 0.50 (0.020) All Semelab herm... See More ⇒

 0.2. Size:10K  semelab
 2n3879smd.pdf pdf_icon

2N3879SM

2N3879SMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 75V IC = 7A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (0... See More ⇒

 8.1. Size:413K  no
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2N3879SM

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2N3879SM

isc Silicon NPN Power Transistor 2N3879 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for high speed switching and linear- amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNI... See More ⇒

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