KSA1175G Todos los transistores

 

KSA1175G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSA1175G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

KSA1175G Datasheet (PDF)

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KSA1175G

KSA1175Low Frequency Amplifier Collector-Base Voltage : VCBO= -60V Complement to KSC2785TO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -60 VVCEO Collector-Emitter Voltage -50 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -

 7.2. Size:205K  lge
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KSA1175G

KSA1175TO-92S Transistor (PNP)TO-92S 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 Features Collector-Base Voltage : VCBO= -60V Complement to KSC2785 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current (DC) -0.15 A Dim

 8.1. Size:46K  fairchild semi
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KSA1175G

KSA1174Audio Frequency Low Noise Amplifier Complement to KSC2784TO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -120 VVCEO Collector-Emitter Voltage -120 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -50 mAIB Base Current -10

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History: CJD3439 | 2SC2667

 

 
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