KSA539Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSA539Y
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de KSA539Y
KSA539Y Datasheet (PDF)
ksa539.pdf

KSA539Low Frequency Amplifier Complement to KSC815 Collector-Base Voltage: VCBO = -60V Collector Power Dissipation: PC = 400mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO C
Otros transistores... KSA473Y , KSA5033 , KSA5034 , KSA5037 , KSA5055 , KSA539 , KSA539O , KSA539R , 9014 , KSA542 , KSA542G , KSA542O , KSA542R , KSA542Y , KSA545 , KSA614 , KSA614O .
History: CSC4217D | HS5819 | BUV10N | BTA1210T3 | KT503E | BUJ303AX | KT716V
History: CSC4217D | HS5819 | BUV10N | BTA1210T3 | KT503E | BUJ303AX | KT716V



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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