KSA642G Todos los transistores

 

KSA642G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSA642G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO92

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KSA642G

 

KSA642G Datasheet (PDF)

 8.1. Size:39K  fairchild semi
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KSA642Low Frequency Power Amplifier Complement to KSD227 Collector Power Dissipation : PC = 400mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -30 VVCEO

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KSA643Low Frequency Power Amplifier Collector Power Dissipation: PC =500mW Complement to KSD261 Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 VVCEO Co

 9.2. Size:199K  lge
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KSA643(PNP) TO-92 TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features Collector dissipation Complement to KSD261 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 VVCEO Collector-Emitter Voltage -20 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VDimensions in inches and (millimeters)IC Collector Current -Con

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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