KSA733G Todos los transistores

 

KSA733G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSA733G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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KSA733G Datasheet (PDF)

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KSA733G

KSA733Low Frequency Amplifier Collector-Base Voltage : VCBO= -60V Complement to KSC945 Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -60 VVCEO Collector-E

 8.2. Size:125K  samsung
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KSA733G

Low Frequency AmpIifier Collector-Base Voltage : VCBO= -60V Complement to KSC945TO-92 1. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP EpitaxiaI SiIicon TransistorAbsoIute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted SymboI Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -60 VVCEO Collector-Emitter Voltage -50 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current

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