KSA916O Todos los transistores

 

KSA916O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSA916O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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KSA916O Datasheet (PDF)

 8.1. Size:65K  fairchild semi
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KSA916O

KSA916Audio Power Amplifier Driver Stage Amplifier Complement to KSC2316TO-92L11. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -120 VVCEO Collector-Emitter Voltage -120 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -800 mAPC Co

 8.2. Size:69K  samsung
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KSA916O

KSA916 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORAUDIO POWER AMPLIFIERTO-92L Driver Stage Amplifier Complement to KSC2316ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )ACharacteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -120 VCollector-Emitter Voltage VCEO -120 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current IC -800 mACollector Dissipation PC 900 mWJunction Temperature TJ 150

 8.3. Size:170K  lge
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KSA916O

KSA916 TO-92L Transistor (PNP)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 2 3 4.700 5.1001Features7.8008.200 Driver stage amplifier 0.6000.800 Complement to KSC2316 0.3500.55013.80014.2001.270 TYPDimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 2.4402.640Symbol Parameter Value Units0.0001.6000.300VC

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