KSA916O Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSA916O

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 40 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: TO92

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KSA916O datasheet

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KSA916O

KSA916 Audio Power Amplifier Driver Stage Amplifier Complement to KSC2316 TO-92L 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -120 V VCEO Collector-Emitter Voltage -120 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -800 mA PC Co

 8.2. Size:69K  samsung
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KSA916O

KSA916 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AUDIO POWER AMPLIFIER TO-92L Driver Stage Amplifier Complement to KSC2316 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -120 V Collector-Emitter Voltage VCEO -120 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current IC -800 mA Collector Dissipation PC 900 mW Junction Temperature TJ 150

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KSA916O

KSA916 TO-92L Transistor (PNP) TO-92L 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 2 3 4.700 5.100 1 Features 7.800 8.200 Driver stage amplifier 0.600 0.800 Complement to KSC2316 0.350 0.550 13.800 14.200 1.270 TYP Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 2.440 2.640 Symbol Parameter Value Units 0.000 1.600 0.300 VC

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