KSA992E Todos los transistores

 

KSA992E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSA992E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 400
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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KSA992E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:46K  fairchild semi
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KSA992E

KSA992Audio Frequency Low Noise Amplifier Complement to KSC1845TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -120 VVCEO Collector-Emitter Voltage -120 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -50 mAIB Base Current -10 m

 8.2. Size:295K  onsemi
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KSA992E

PNP Epitaxial SiliconTransistorKSA992Features Audio Frequency Low-Noise Amplifierwww.onsemi.com Complement to KSC1845 These are Pb-Free DevicesMAXIMUM RATINGS (Values are at TA = 25C unless otherwise noted.)Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -120 V1. Emitter2. CollectorVCEO Collector-Emitter Voltage -120 V3. Base112VEBO Emitter-

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History: NSVBCP56-10T3G | BLY40 | BDS28ASM | 2N5494 | HD1L3N

 

 
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