KSB811O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSB811O
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 110 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 18 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KSB811O
KSB811O Datasheet (PDF)
ksb811.pdf
KSB811Audio Frequency Power Amplifier Complement to KSD1021 Collector Current : IC= -1A Collector Power Dissipation : PC=350mWTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -30 VVCEO Collector-Emitter Voltage -25 VVEBO Emitt
ksb811.pdf
KSB811 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORAUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIERTO-92S Complement to KSD1021 Collector Current IC= -1A Collector Dissipation PC=350mWABSOLUTE MAXIMUM RATING(T =25 )ACharacteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -30 VCollector-Emitter Voltage VCEO -25 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current IC -1.0 ACollector Dissip
ksb810.pdf
KSB810Audio Frequency Amplifier Complement to KSD1020TO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -30 VVCEO Collector-Emitter Voltage -25 VVEBO Emitter-Base Voltage -5.0 VIC Collector Current (DC) -700 mAICP * Collector Current
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
