KSB811Y Todos los transistores

 

KSB811Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSB811Y
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 110 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 18 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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KSB811Y Datasheet (PDF)

 8.1. Size:39K  fairchild semi
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KSB811Y

KSB811Audio Frequency Power Amplifier Complement to KSD1021 Collector Current : IC= -1A Collector Power Dissipation : PC=350mWTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -30 VVCEO Collector-Emitter Voltage -25 VVEBO Emitt

 8.2. Size:56K  samsung
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KSB811Y

KSB811 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORAUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIERTO-92S Complement to KSD1021 Collector Current IC= -1A Collector Dissipation PC=350mWABSOLUTE MAXIMUM RATING(T =25 )ACharacteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -30 VCollector-Emitter Voltage VCEO -25 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current IC -1.0 ACollector Dissip

 9.1. Size:36K  fairchild semi
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KSB811Y

KSB810Audio Frequency Amplifier Complement to KSD1020TO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -30 VVCEO Collector-Emitter Voltage -25 VVEBO Emitter-Base Voltage -5.0 VIC Collector Current (DC) -700 mAICP * Collector Current

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History: MSD42SWT1G | SBC856BLT1G | ST1050 | CL166P | 2N5538 | BFR73

 

 
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