KSC2518O Todos los transistores

 

KSC2518O Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSC2518O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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KSC2518O datasheet

 9.1. Size:38K  fairchild semi
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KSC2518O

KSC2500 Medium Power Amplifier & Low Saturation TO-92L 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCES Collector-Emitter Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 10 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current (DC) 2 A ICP * Co

 9.2. Size:58K  samsung
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KSC2518O

KSC2500 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MEDIUM POWER AMPLIFIER TO-92L LOW SATURATION ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 ) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 30 V Collector-Emitter Voltage VCES 30 V Collector-Emitter Voltage VCBO 10 V Emitter-Base Voltage VEBO 6 V Collector Current (DC) IC 2 A Collector Current (Pulse) IC 5 A Base Current A IB 0.5 Collecto

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