KSC2518R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSC2518R
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO220
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KSC2518R Datasheet (PDF)
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KSC2500Medium Power Amplifier & Low SaturationTO-92L11. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCES Collector-Emitter Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 10 VVEBO Emitter-Base Voltage 6 VIC Collector Current (DC) 2 AICP * Co
ksc2500.pdf
KSC2500 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORMEDIUM POWER AMPLIFIERTO-92LLOW SATURATIONABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 ) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 30 VCollector-Emitter Voltage VCES 30 VCollector-Emitter Voltage VCBO 10 VEmitter-Base Voltage VEBO 6 VCollector Current (DC) IC 2 ACollector Current (Pulse) IC 5 ABase Current AIB 0.5Collecto
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History: BD249F
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Liste
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