KSC2785G Todos los transistores

 

KSC2785G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSC2785G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

KSC2785G Datasheet (PDF)

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KSC2785G

KSC2785Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC. Complement to KSA1175 Collector-Base Voltage : VCBO=60VTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC

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KSC2785G

KSC2785 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORAUDIO FREQUENCY AMPLIFIERTO-92SHIGH FREQUENCY OSC. Complement to KSA1175 Collector-Base Voltage VCBO=60VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 ) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 60 VCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter-Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 150 mACollector Dissipation PC 250 mW

 8.1. Size:41K  fairchild semi
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KSC2785G

KSC2787FM/AM RF AMP, MIX, CONV, OSC, IF Collector-Emitter Voltage : VCEO=30V High Current Gain Bandwidth Product : fT=300MHz (TYP) Low Output Capacitance : Cob=2.0pF (TYP)TO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 VVCEO Co

 8.2. Size:46K  fairchild semi
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KSC2785G

KSC2784Audio Frequency Low Noise Amplifier Complement to KSA1174TO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 120 VVCEO Collector-Emitter Voltage 120 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 50 mAIB Base Current 10 mAPC

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History: 2SB1135R | CSC2001LAI | KT657V-2 | RT3P77M | 2SA1539 | 2N2600A | 2SA1471

 

 
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