KSC2786O Todos los transistores

 

KSC2786O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSC2786O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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KSC2786O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:74K  fairchild semi
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KSC2786O

KSC2786TV PIF Amplifier, FM Tuner RF Amplifier, Mixer, Oscillator High Current Gain Bandwidth Product : fT=600MHz (TYP) High Power Gain : GPE=22dB at f=100MHzTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter

 7.2. Size:152K  samsung
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KSC2786O

KSC2786 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORTV PIF AMPLIFIER, FM TUNER RF AMPLIFIER,TO-92SMIXER, OSCILLATOR High Current-Gain-Bandwidth Product fT=600MHz (Typ) High Power Gain GPE=22dB at f=100MHzABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 ) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 30 VCollector-Emitter Voltage VCEO 20 VEmitter-Base Voltage VEBO 4 VCollector Curr

 8.1. Size:40K  fairchild semi
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KSC2786O

KSC2785Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC. Complement to KSA1175 Collector-Base Voltage : VCBO=60VTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC

 8.2. Size:41K  fairchild semi
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KSC2786O

KSC2787FM/AM RF AMP, MIX, CONV, OSC, IF Collector-Emitter Voltage : VCEO=30V High Current Gain Bandwidth Product : fT=300MHz (TYP) Low Output Capacitance : Cob=2.0pF (TYP)TO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 VVCEO Co

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