KSC2859 Todos los transistores

 

KSC2859 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSC2859
   Código: E1O_E1Y
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO236
 

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KSC2859 Datasheet (PDF)

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KSC2859

KSC2859Low Frequency Power Amplifier Complement to KSA1182321 SOT-231. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 35 VVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 500 mAPC Collector Power Dissipat

 9.1. Size:115K  fairchild semi
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KSC2859

November 2006KSC2883tmNPN Epitaxial Silicon TransistorLow Frequency Power Amplifier 3W Output Application Collector Dissipation : PC=1~2W in Mounted on Ceramic Board Complement to KSA1203Marking2 8 8 3P Y W WSOT-891Weekly code1. Base 2. Collector 3. EmitterYear codehFE grageAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Va

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KSC2859

July 2005KSC2881NPN Epitaxial Silicon TransistorPower Amplifier Collector-Emitter Voltage : VCEO=120V Current Gain Bandwidth Productor : fT=120MHz Collector Dissipation : PC=1~2W in Mounted on Ceramic Board Complement to KSA1201Marking2 8 8 1P Y W WSOT-891Weekly code1. Base 2. Collector 3. EmitterYear codehFE grageAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C

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