KSC2874 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSC2874  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: TO92

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KSC2874 datasheet

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KSC2874

November 2006 KSC2883 tm NPN Epitaxial Silicon Transistor Low Frequency Power Amplifier 3W Output Application Collector Dissipation PC=1 2W in Mounted on Ceramic Board Complement to KSA1203 Marking 2 8 8 3 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Va

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KSC2874

KSC2859 Low Frequency Power Amplifier Complement to KSA1182 3 2 1 SOT-23 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 35 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 500 mA PC Collector Power Dissipat

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KSC2874

July 2005 KSC2881 NPN Epitaxial Silicon Transistor Power Amplifier Collector-Emitter Voltage VCEO=120V Current Gain Bandwidth Productor fT=120MHz Collector Dissipation PC=1 2W in Mounted on Ceramic Board Complement to KSA1201 Marking 2 8 8 1 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C

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