KSC2881Y Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSC2881Y
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: SOT89
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KSC2881Y datasheet
ksc2881.pdf
July 2005 KSC2881 NPN Epitaxial Silicon Transistor Power Amplifier Collector-Emitter Voltage VCEO=120V Current Gain Bandwidth Productor fT=120MHz Collector Dissipation PC=1 2W in Mounted on Ceramic Board Complement to KSA1201 Marking 2 8 8 1 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C
ksc2883.pdf
November 2006 KSC2883 tm NPN Epitaxial Silicon Transistor Low Frequency Power Amplifier 3W Output Application Collector Dissipation PC=1 2W in Mounted on Ceramic Board Complement to KSA1203 Marking 2 8 8 3 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Va
ksc2859.pdf
KSC2859 Low Frequency Power Amplifier Complement to KSA1182 3 2 1 SOT-23 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 35 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 500 mA PC Collector Power Dissipat
Otros transistores... KSC2787O , KSC2787R , KSC2787Y , KSC2859 , KSC2859O , KSC2859Y , KSC2874 , KSC2881O , S8550 , KSC2883O , KSC2883Y , KSC2982 , KSC2982A , KSC2982B , KSC2982C , KSC2982D , KSC3073 .
History: 2N3250XCSM
History: 2N3250XCSM
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Liste
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