2N3961 Todos los transistores

 

2N3961 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3961
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 350 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO61
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N3961 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:238K  rca
 2n396-a.pdf pdf_icon

2N3961

 9.2. Size:10K  semelab
 2n3964dcsm.pdf pdf_icon

2N3961

2N3964DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar PNP Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 45V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.2A C(0.0

 9.3. Size:43K  microelectronics
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2N3961

 9.4. Size:43K  semicoa
 2n3960.pdf pdf_icon

2N3961

Data Sheet No. 2N3960Generic Part Number:Type 2N39602N3960Geometry 0003Polarity NPNREF: MIL-PRF-19500/399Qual Level: JAN - JANTXVFeatures: General-purpose low-power NPNsilicon transistor. Housed in TO-18 case. Also available in chip form usingthe 0003 chip geometry. The Min and Max limits shown areper MIL-PRF-19500/399 whichSemicoa meets in all cases.

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History: 2N5224 | DC5422 | MJW3281AG | 2SC233 | BDY92 | TSD882CK | DTA143XKA

 

 
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