KSD73 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSD73

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO220

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KSD73 datasheet

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KSD73

KSD73 Low Frequency High Power Amplifier Collector-Base Voltage VCBO = 100V Collector Current IC = 5A Collector Dissipation PC = 30W (TC=25 C) TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage

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