KSD985R Todos los transistores

 

KSD985R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSD985R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 3000
   Paquete / Cubierta: TO126
     - Selección de transistores por parámetros

 

KSD985R Datasheet (PDF)

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KSD985R

KSD985/986Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switching Industrial UseTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Volage : KSD985 60 V: KSD986 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 8.0 V IC C

Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2SC3110 | 2N6364

 

 
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