KSE2955T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSE2955T
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
Tensión colector-base (Vcb): 70 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de KSE2955T
KSE2955T Datasheet (PDF)
kse2955t.pdf

KSE2955TGeneral Purpose and Switching Applications DC Current Gain Specified to IC = 10 A High Current Gain Bandwidth Product : fT = 2MHz (Min.)TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 70 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 60 V VEBO Emi
Otros transistores... KSE170 , KSE171 , KSE172 , KSE180 , KSE181 , KSE182 , KSE200 , KSE210 , C945 , KSE3055T , KSE340 , KSE350 , KSE44H-1 , KSE44H-10 , KSE44H-11 , KSE44H-2 , KSE44H-4 .
History: ECG259 | MJE34A | KSB1366Y | 2SC32 | MJ8503 | ST2SB772U | 2N5867
History: ECG259 | MJE34A | KSB1366Y | 2SC32 | MJ8503 | ST2SB772U | 2N5867



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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