KSE45H-5 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSE45H-5
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 230 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KSE45H-5
KSE45H-5 Datasheet (PDF)
kse45h.pdf
KSE45H SeriesGeneral Purpose Power Switching Applications Low Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = -1V (MAX)@-8A Fast Switching Speeds Complement to KSE44HTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE45H 1,2 - 3
kse45h1 kse45h2 kse45h4 kse45h5 kse45h7 kse45h8 kse45h10 kse45h11.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
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History: CDQ10026
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