KSH32CI Todos los transistores

 

KSH32CI . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSH32CI
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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KSH32CI Datasheet (PDF)

 8.1. Size:249K  inchange semiconductor
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KSH32CI

isc Silicon PNP Power Transistor KSH32CDESCRIPTIONLead formed for surface mount applications(NO suffix)Straight lead(IPAK,Isuffix)DPAK for surface mount applications100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSGeneral purpose amplifierLow speed switching applicationABSOLUTE MAXIMUM

 9.1. Size:55K  fairchild semi
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KSH32CI

KSH32/32CGeneral Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix)D-PAK I-PAK Straight Lead (I-PAK, - I Suffix) 11 Electrically Similar to Popular TIP32 and TIP32C1.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherw

 9.2. Size:76K  samsung
 ksh32.pdf pdf_icon

KSH32CI

KSH32/32C PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORGENERAL PURPOSE AMPLIFIERD-PAKLOW SPEED SWITCHING APPLICATIONSD-PACK FOR SURFACE MOUNTAPPLICATIONS Load Formed for Surface Mount Application(No Suffix) Straight Lead (I.PACK, - I Suffix) Electrically Similar to Popular TIP32 and TIP32C1ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 1. Base 2. Collector 3. EmitterCharacteristic Symbol Rating

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